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產(chǎn)品詳情

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產(chǎn)品名稱：華測(cè)儀器 MOSFET封裝材料電痕化指數(shù)測(cè)試系統(tǒng)低壓漏電起痕測(cè)試儀
產(chǎn)品型號(hào)：HCLD-2
產(chǎn)品廠商：華測(cè)
產(chǎn)品價(jià)格：0
折扣價(jià)格：0
產(chǎn)品文檔：

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簡(jiǎn)單介紹：

低壓漏電起痕試驗(yàn)儀是根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的模擬仿真試驗(yàn)項(xiàng)目。耐漏電起痕試驗(yàn)（電痕化指數(shù)試驗(yàn)）是在固體絕緣材料表面上，在規(guī)定尺寸的鉑電極之間，施加某一電壓并定時(shí) (30s) 定高度 ( 35mm ) 滴下規(guī)定液滴體積的導(dǎo)電液體 (0.1%NH4CL) ，用以評(píng)價(jià)固體絕緣材料表面在電場(chǎng)和潮濕或污染介質(zhì)聯(lián)合作用下的耐漏電性能，測(cè)定其相比電痕化指數(shù) (CT1) 和耐電痕化指數(shù)(PT1) 。

詳情介紹：

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

01.帶有濾波、隔離變壓器、穩(wěn)壓變壓器

02.自動(dòng)化程度高

03.帶有排風(fēng)口

04.具有數(shù)據(jù)數(shù)顯、存儲(chǔ)功能

05.過(guò)流保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)、門限保護(hù)等

產(chǎn)品參數(shù)

01. 試驗(yàn)電壓：25 ~ 800V 可調(diào)（可選200V~1000V可調(diào)）

02. 控制方式：西門子PLC+10寸觸摸屏控制系統(tǒng)

03. 滴液高度：30～40mm 連續(xù)可調(diào)

04. 試驗(yàn)電壓壓降：≤5%

05. 通滴液次數(shù)：0~9999次可調(diào)

06. 電極距離：4.0mm ± 0.1mm ，夾角 60°±5

07. 電極壓力：1.0±0.05N(可調(diào))

08. 滴液間隔時(shí)間：可任意設(shè)定

09. 試驗(yàn)電流量程：3A

10. 試驗(yàn)艙材料：PC塑料

11. 滴液大小：（20.0～23.0）mm3 連續(xù)可調(diào)

12. 操控方式：10寸觸摸屏

13. 電極材料：電極頭鉑金、電極桿純銀

14. 漏電判斷：電流大于0.5A并維持2秒鐘切斷

15. 試驗(yàn)終止：50滴或100滴及漏電流≥ 0.5A并維持時(shí)間≥2s時(shí)自動(dòng)終止

16. 供電電源：220V 50Hz 10A

應(yīng)用領(lǐng)域

低壓漏電起痕試驗(yàn)儀是評(píng)價(jià)電工電子產(chǎn)品中使用的固體絕緣材料公優(yōu)劣的重要指標(biāo)，被廣泛應(yīng)用于電工電子、電器、半導(dǎo)體封裝、信息技術(shù)設(shè)備等領(lǐng)域。

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京公網(wǎng)安備 11010802025692號(hào)

產(chǎn)品名稱：華測(cè)儀器 MOSFET封裝材料電痕化指數(shù)測(cè)試系統(tǒng)低壓漏電起痕測(cè)試儀