產(chǎn)品詳情
簡單介紹：
復(fù)合控溫高低溫真空探針臺是一種輔助執(zhí)行機(jī)構(gòu)，測試人員把需要量測的器件放到探針臺載物臺(chuck)上，在顯微鏡配合下，X-Y移動器件，找到需要探測的位置，接下來通過旋轉(zhuǎn)探針座上的X-Y-Z的三向旋鈕，控制前部探針(射頻或直流探針)，準(zhǔn)確扎到被測點，從而使其訊,號線與外部測試機(jī)導(dǎo)通，通過測試機(jī)可以得到所需要的電性能參數(shù)。
詳情介紹：
復(fù)合控溫高低溫真空探針臺
產(chǎn)品優(yōu)勢
真空-溫度協(xié)同控制真空系統(tǒng)：分子泵+渦旋泵多級抽氣，30分鐘內(nèi)實現(xiàn)10^-6 torr級真空度，支持惰性氣體氛圍切換；
超寬溫域：液氮制冷與電極加熱復(fù)合控溫，控溫穩(wěn)定性±0.1K。
精細(xì)測量能力
抗干擾設(shè)計：真空屏蔽腔體降低電磁噪聲，支持pA級微弱電流與μΩ級電阻測量；
多通道拓展：標(biāo)配4探針臂（可擴(kuò)展至6探針臂），支持四線法、射頻探針、光電協(xié)同測試。
產(chǎn)品參數(shù)
腔體樣品臺尺寸：6英寸
樣品固定：彈簧壓片
觀察窗口：4英寸
真空度：10^-6 torr
探針臂接口：至多6個探針臂接口
其它接口：電信接口、真空接口、光纖接口、冷源接口
制冷方式：制冷機(jī)
控制方式：閉循環(huán)自動控制
溫度范圍：4.5K ~ 450K
溫度分辨率：0.1K / 0.01K / 0.001K
穩(wěn)定性：±1K / ±0.1K / ±0.01K
顯微鏡
X-Y-Z 移動行程：50mm×25mm×13mm
結(jié)構(gòu)：外置探針臂，真空波紋管結(jié)構(gòu)
移動精度：10μm / 1μm
光源：外置LED環(huán)形光源 / 同軸光源
CCD：200萬像素 / 500萬像素 / 1200萬像素
探針座
X-Y-Z 移動行程：50mm×25mm×13mm
結(jié)構(gòu)：外置探針臂，真空波紋管結(jié)構(gòu)
移動精度：10μm / 1μm
探針夾具
線纜：同軸線 / 三軸線 / 射頻線
漏電精度：10pA / 100fA / 10fA
固定探針：彈簧固定 / 螺絲固定
接頭類型：BNC / 三軸 / 香蕉頭 / 鱷魚夾 / 接線端子/ 射頻接口
探針
射頻支持：DC-67GHZ
針尖直徑：0.2μm / 1μm / 2μm / 5μm / 10μm/ 20μm / 50μm / 100μm
材質(zhì)：鎢鋼 / 鈹銅
真空組件 分子泵組 / 機(jī)械泵
冷源組件 50L / 100L 液氮罐 / 液氦罐 / 制冷機(jī)
外形重量 730mm×750mm×1265mm（長寬高） 約100kg
防震桌參數(shù)
應(yīng)用領(lǐng)域
1. 研發(fā)階段：材料與器件的極限性能探索在新型半導(dǎo)體材料（如鈣鈦礦、氧化鎵）的研發(fā)中，復(fù)合控溫高低溫真空探針臺可實時監(jiān)測材料在真空、高溫或低溫條件下的載流子遷移率、擊穿電壓等參數(shù)，為材料優(yōu)化提供數(shù)據(jù)支撐。
2. 失效分析：準(zhǔn)確定位缺陷根源
通過微區(qū)探針掃描技術(shù)，配合SEM或FIB聯(lián)用，可對芯片的短路、漏電等故障點進(jìn)行亞微米級定位，快速鎖定制造工藝中的缺陷環(huán)節(jié)。
3. 量產(chǎn)前驗證：提升良率與可靠性
在晶圓出廠前，復(fù)合控溫高低溫真空探針臺可對成千上萬個微結(jié)構(gòu)進(jìn)行自動化批量測試（如接觸電阻、絕緣性能），結(jié)合AI算法實時分析數(shù)據(jù)，提前篩除次品，降低下游封測成本。
