高低溫介電溫譜測試儀

產(chǎn)品優(yōu)勢

1.在樣品上濺射一層導電材質(zhì)，減少空間及雜散電容的影響；

2.采用參比樣品的方式進行測量，樣品的溫度就是材料真實溫度。解決高溫環(huán)境下測量導線阻抗影響及內(nèi)部障蔽

3.采用阻抗更匹配的測量導線；

4.縮短測量導線；

5.采用平行板法測量。

6.采用了直流加熱方式進行加熱，同時加入濾波等方式減少電網(wǎng)諧波在測量過程中的影響。

參數(shù)規(guī)格

溫控參數(shù)

溫度范圍：-185℃ ~ 600℃（負溫需配液氮制冷系統(tǒng)） 

傳感器/溫控方式：100Ω鉑RTD / PID控制（含LVDC降噪電源） 

加熱/制冷速度：+80℃/min （100℃時），-50℃/min （100℃時） 

加熱/制冷精度：±0.25℃

溫度分辨率：0.01℃ 

溫度穩(wěn)定性：±0.05℃（>25℃），±0.1℃（<25℃） 

軟件功能：可設溫控速率，可設溫控程序，可記錄溫控曲線

電學參數(shù)

探針：默認為錸鎢材質(zhì)的彎針探針 *可選其他種類電極 

探針座：杠桿式探針支架，點針力度更大，電接觸性好 

點針：手動點針，每個探針座都可點到樣品區(qū)上任意位置 

探針接口：默認為BNC接頭，可選三同軸接口* 可增設腔內(nèi)接線柱（樣品接電引線） 

樣品臺面電位：默認為電接地，可選電懸空（作背電極），可選三同軸接口 

非磁性改造：臺體可改用非磁性材質(zhì)制造，用于變溫霍爾效應探針測試

光學參數(shù)

適用光路：反射光路 

窗片：可拆卸與更替的窗片 

物鏡工作距離：8.5 mm 

透光孔：臺面默認無通光孔，可增設通光孔以支持透射光路 

上蓋窗片觀察：窗片范圍φ38mm，視角±60.7° 

負溫下窗片除霜：真空

結構參數(shù)

加熱區(qū)/樣品區(qū)：? 30 mm 

樣品腔高：6.3 mm *樣品厚度由探針決定 

放樣：打開上蓋后置入樣品再點針，關上蓋后無法移動探針 

氣氛控制：氣密腔，可充入保護氣體 *另有真空腔型號 

外殼冷卻：可通循環(huán)水，以維持外殼溫度在常溫附近 

安裝方式：水平安裝 或 垂直安裝 

臺體尺寸/重量：210 mm x 180 mm x 50 mm / 2000g

測試功能（測試曲線）

介電溫譜（頻譜） 高溫絕緣電阻（體積電阻率） 熱釋電 TSDC

可擴展部件（常見儀表）

高阻計 數(shù)字源表 高壓電源（進行高壓下TSDC測量） 高低溫介電溫譜測量

應用領域

材料科學與工程

電子與半導體行業(yè)

新能源與汽車工業(yè)

ensive laboratory for materials and electricity was established with Tianjin University to carry out scientific research on materials and electricity.